ものづくり● SiC 半導体中の単一光子 / スピン源を利用した量子効果デバイスの開発● 量子光源を利用した超解像度イメージング技術の開発● SiC/ 酸化膜界面の物性制御、SiC 酸化メカニズムの解明● SiC 半導体を用いた超耐放射線性エレクトロニクスの開発50キーワード● 独自の SiC 酸化モデルを考案し、MOS 界面物性の予測が可能となりました● 光をプローブとして用いた非破壊・非侵襲の SiC 半導体評価技術を考案しました● SiC 半導体を用いて 10 メガグレイ（グレイ≒シーベルト、従来型 Si 素子の 100 〜 1000 倍）● SiC 半導体中に単一光子源 / スピンを生成し、SiC のデバイス親和性を活かした量子効果デバイ● 量子の性質を持つ光を利用し、新たなイメージング方法を開発しています● SiC MOS 界面単一光子源を用いた単一光子 LED の試作● SiC 結晶中の窒素 - 空孔センタや Si 空孔スピン欠陥の形成● SiC MOS 接合界面の欠陥低減技術の開発● SiC MOSFET の 10 メガグレイガンマ線照射耐性の達成【最近の研究テーマ】産業界へのアピールポイント実用化例・応用事例・活用例土方 泰斗（ヒジカタ ヤスト） 准教授大学院理工学研究科 数理電子情報部門 電気電子物理領域SiC は Si と C（ダイヤモンド）の化合物半導体、Si と C のそれぞれの特長を兼ね備えているバイオイメージングプレート：SiC 基板に単一欠陥を碁盤の目状に配置し、超 高 感 度・ 高 分 解 能 な 温 度・ 磁 場 イメージングを実現（バイオ・先進医療研究にブレイクスルー）SiC 半導体 金属 - 酸化膜 - 半導体（MOS）接合デバイス パワーデバイス ハードエレクトロニクス 量子効果デバイス炭化ケイ素（SiC）は、熱酸化によって表面に SiO2 膜を形成できる上、8 インチウェハが量産化され、デバイス作製技術が発達している、Si 半導体並にデバイス応用のし易い半導体材料です。また、ワイドバンドギャップ、高い耐放射線性・耐熱性、堅牢といったダイヤモンドに良く似た性質も兼ね備えています。まさに SiC は Si と C（ダイヤモンド）の“いいとこ取り”をした材料です！さらにここ数年間の研究により、SiC にはダイヤモンドNV センターによく似た単一欠陥が存在し、これを単一光子源やスピンとして利用することで、量子コンピューティングや量子フォトニクス、量子センシングに応用できる道のりが開かれています。もの高い耐放射線性を有したスイッチング素子（MOSFET）を開発しましたスを開発していますSi よりも強く、ダイヤモンドよりもデバイスフレンドリーな SiC 半導体
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