発明の名称発明の名称問合番号1110-31技術分野ナノテク・材料スピン偏極度測定方法及び測定メータ、並びにこれを用いた論理演算ゲート及び信号暗号化復号化方法特許第5880937号国立大学法人埼玉大学問合番号1205-04技術分野ナノテク・材料出願番号特願2011-282394発明者酒井 政道、長谷川 繁彦、北島 彰、大島 明博公開番号特開2013-134995特許番号特許権者本発明によるスピン偏極度ＰＳを入出力とする擬似ＸＯＲ論理演算ゲートは、ディジタル回路における省電力化と高度集積化に有効適用製品被測定材料が強磁性体、金属に限られることはなく導電性を持ちさえすれば、非磁性導体の横抵抗と縦抵抗を測定のみで、金属か半導体かに依らず、被測定材料におけるキャリアのスピン偏極度を評価することが可能な測定方法を提供する。課題 被測定材料に非磁性導体が接合されて構成される素子の両端に電圧を印加して前記被測定材料から前記非磁性導体にスピン偏極電流を注入し、前記非磁性導体における前記スピン偏極電流の進行方向に平行な縦方向電圧、及び前記スピン偏極電流の進行方向に垂直な横方向電圧を測定し、前記縦方向電圧を前記スピン偏極電流の電流値で割った値から前記スピン偏極電流の進行方向に沿う縦方向における前記非磁性導体の縦抵抗を測定し、前記横方向電圧を前記スピン偏極電流の電流値で割った値から前記スピン偏極電流の進行方向に直交する横方向における前記非磁性導体の横抵抗を測定し、測定した前記縦抵抗及び前記横抵抗から前記非磁性導体の横抵抗率の縦抵抗率に対する縦横抵抗率比を求め、前記縦横抵抗率比と前記非磁性導体におけるキャリアのスピン偏極度とが、前記非磁性導体におけるキャリアの移動度とスピン軌道相互作用の強さとの積を比例係数とする比例関係にあることに基づいて、前記縦横抵抗率比から前記被測定材料のスピン偏極度の相対値を評価するスピン偏極度測定方法。技術概要（請求項１）超伝導トンネル接合を用いたフォトン検出器出願番号特願2012-158881発明者田井野 徹、明連 広昭、成瀬 雅人、石塚 達雄、青柳 昌宏、菊地 克弥公開番号特開2014-22519号特許第5967610号特許番号国立大学法人埼玉大学、国立研究開発法人産業技術総合研究所特許権者Ｘ線回折による組成分析、エネルギー分散型Ｘ線分析、未知の天体から飛来する光や宇宙線のエネルギースペクトルの観測、医学分野でのレントゲン撮影などに用いられるフォトン検出器適用製品歩留まりが向上し、作製プロセスが削減可能なフォトン検出器を提供する。課題 超伝導体からなる下部電極、絶縁体からなるトンネルバリア、および超伝導体からなる上部電極が基板上に積層されて構成される超伝導トンネル接合を用いたフォトン検出器において、 前記下部電極、前記トンネルバリア、および前記上部電極から構成される超伝導トンネル接合素子が、前記基板の表面に窪んで形成された穴に埋め込まれて形成され、前記上部電極の表面と前記基板の表面との高低差が前記上部電極の厚さ分の範囲内に設定されていることを特徴とする超伝導トンネル接合を用いたフォトン検出器。技術概要（請求項１）IPCIPC出願日公開日出願日公開日H01L 29/82, H04L 9/182011/12/222013/7/8H01L 31/10, G01J 1/02, H01L 39/22, H01L39/242012/7/172014/2/3代表図代表図
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