発明の名称発明の名称問合番号0407-06技術分野ナノテク・材料薄膜結晶化方法特許第4701376号国立大学法人埼玉大学問合番号0411-18技術分野ナノテク・材料出願番号特願2004-242351発明者白井 肇公開番号特開2006-60130特許番号特許権者ＴＦＴや太陽電池に使用する多結晶シリコン薄膜を始め、電子デバイスや光学素子、装飾品等に用いる各種結晶化膜の製造に適用適用製品アモルファス薄膜を簡単な装置により短時間で結晶化することができる薄膜結晶化方法を提供する。課題 非結晶薄膜を溶融した後に再結晶化する薄膜結晶化方法において、 細管に導入したプラズマ生成ガスを前記細管の先端から大気中に噴出させて前記細管の先端にマイクロプラズマジェットを生成し、前記細管の先端から距離を置いた非結晶薄膜に前記マイクロプラズマジェットを大気中で照射し、該非結晶薄膜の同一位置への照射時間を１秒より短い時間に設定して前記非結晶薄膜を溶融するとともに、 前記細管を絶縁体で形成し、前記細管の周囲に設けたコイルに高周波電力を供給して前記細管内部に誘導電場を生成し、前記細管に導入したプラズマ生成ガスをプラズマ化して前記マイクロプラズマジェットを生成することを特徴とする薄膜結晶化方法。技術概要（請求項１）超伝導フォトン検出器出願番号特願2005-28261発明者田井野 徹、明連 広昭、高田 進、吉田 昌代、仲川 博、菊地 克弥、青柳 昌宏、赤穗 博司公開番号特開2006-216795号特許第4822715号特許番号国立大学法人埼玉大学、独立行政法人産業技術総合研究所特許権者レントゲン撮影を行う医学分野、星の光や宇宙線を観測する天文分野、半導体製造プロセス中の汚染物質を分析する工業分野など、各種分野において、低エネルギーのフォトンが観測できる検出器として幅広く利用可能な超伝導フォトン検出器適用製品フォノンイベントによる低エネルギーのノイズを除去することができる超伝導フォトン検出器を提供する。課題 基板上に積層された下部超伝導電極、トンネルバリア及び上部超伝導電極を有する超伝導フォトン検出器であって、 前記基板と前記下部超伝導電極との間に介在し、前記基板から入射する音響波の反射係数の絶対値が透過係数の絶対値よりも大きい材料で形成されたフォノン遮蔽層を備える超伝導フォトン検出器。技術概要（請求項１）IPCIPC出願日公開日出願日公開日H01L 21/20, H01L 21/336, H01L 29/7862004/8/232006/3/2H01L 39/22, G01T 1/24, G01T 1/36, H01L31/08, G01J 1/022005/2/32006/8/17代表図代表図
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