発明の名称発明の名称問合番号0404-01技術分野ナノテク・材料炭化シリコンの作製方法、炭化シリコン、及び炭化シリコンの作製装置特許第4411433号国立大学法人埼玉大学問合番号1310-36技術分野ナノテク・材料エチレン-ビニルアダマンタン共重合体及びその製造方法特許第6366256号三菱瓦斯化学株式会社、国立大学法人埼玉大学出願番号特願2004-146779発明者白井 肇公開番号特開2005-325434特許番号特許権者適用製品炭化シリコンの作製方法ヒトインフルエンザウィルスの感染対象細胞への侵入及び該細胞からの脱離の両過程を阻害する化合物、及び該化合物を含有する抗インフルエンザ予防薬及び／又は治療薬、インフルエンザ感染の予防手段等を提供する。課題 大気圧マイクロプラズマジェットで、シリコン基材の表層部分に炭化シリコンを形成するに際し、針状電極を用い、前記針状電極内にメタンを含有する原料ガスを導入すると共に、前記シリコン基材の温度を４００℃以下として、前記針状電極の先端部より前記原料ガスを放出しつつ、前記針状電極に高周波を印加し、さらに、前記針状電極と前記シリコン基材との距離を１～４ｍｍの範囲とすることを特徴とする、炭化シリコンの作製方法。技術概要（請求項１）出願番号特願2013-235443出願人発明者三菱瓦斯化学株式会社、国立大学法人埼玉大学黒川 秀樹公開番号特開2015-93961特許番号特許権者フィルム、シート、レンズ、プリズム、光ファイバー、光記録媒体、並びに液晶表示素子などの光学製品など適用製品課題任意の組成でエチレンとビニルアダマンタンを共重合してなるエチレン－ビニルアダマンタン共重合体、及びその製造方法を提供する。 エチレン単位と、下記一般式［１］で表される１－ビニルアダマンタン誘導体の単位と、を有し、 示差走査熱量計によって測定される融点が、１３０℃以下、又は実質的に観測されない、エチレン－ビニルアダマンタン共重合体。【化１】技術概要（請求項１）（一般式［１］中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、ビニル基、又は炭素数１～６の炭化水素基を表す。）IPCIPC出願日公開日出願日公開日2004/5/172005/11/242013/11/132015/5/18C23C 16/42, C23C 16/513, H01L21/205, H05H 1/24, H05H 1/30代表図C08F 210/14, C08F 210/02, C08F4/6592
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