78キーワードミストCVD、結晶Si・無機有機ペロブスカイト薄膜太陽電池、金属酸化物・窒化物、遷移金属ダイカルコゲナイド■ 研究概要溶液原料からの気相成長法を利用したミスト成膜・CVD法による誘電体、半導体薄膜の成膜機構の診断を通して、以下の項目について研究を推進している。ミストの生成・輸送・基板への着弾過程の診断をおこないつつ、膜質・界面接合特性の評価を通してキャリア輸送制御に基づいた電子機能の設計に関する研究を推進している。１）塗布型結晶Si、ペロブスカイト系薄膜太陽電池の高性能化、主にキャリア選択層の開発２）電界効果トランジスター（MOSFET）ゲート絶縁膜（半導体・金属酸化物）３）金属酸化物・誘電体薄膜の合成４）２D遷移金属ダイカルコゲナイド層状物質）の合成と物性開拓■ 産業界へのアピールポイント●結晶Si系太陽電池基盤技術●半導体/誘電体面界面の診断と物性制御●ペロブスカイト薄膜太陽電池●ミストによる凹凸基板上への機能性薄膜●ミストの各種応用（表面改質、噴霧・散布）の均一成長技術白井 肇（シライ ハジメ） 教授大学院理工学研究科 数理電子情報部門 電気電子システム領域【最近の研究テーマ】●薬剤の微細化・輸送●農薬散布■ 実用化例・応用事例・活用例●結晶Si・ペロブスカイト太陽電池●ミストＣVD成膜技術●MOSFET用High-k薄膜（金属酸化膜, 金属窒化物）●２D遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜(MoS2,WSexなど)溶液原料からの帯電ミストを使った気相成長法による機能性薄膜の作製・改質技術
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